高端光电子器件产业基地建设项目二期（G2厂房） 低压配电设备采购(HBSJ-202202FJ-021022001)货物类招标 中标结果公告 招标编号： HBSJ-202202FJ-021022001

证券之星消息，根据天眼查APP-财产线索数据整理，武汉光迅科技股份有限公司11月27日发布《【湖北省中心】高端光电子器件产业基地建设项目二期工程（G2厂房）低压配电设备采购高端光电子器件产业基地建设项目二期（G2厂房） 低压配电设备采购评标结果公示(标段编号HBSJ-202202FJ-021022001)》，详情如下：标题：【湖北省中心】高端光电子器件产业基地建设项目二期工程（G2厂房）低压配电设备采购高端光电子器件产业基地建设项目二期（G2厂房） 低压配电设备采购评标结果公示(标段编号HBSJ-202202FJ-021022001)通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2322次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息1820条，著作权信息117条

国家知识产权局信息显示，集萃皓铂新材料科技（盐城）有限公司申请一项名为“一种高频滤波用焦耳热碳化电极及制备方法和应用”的专利，公开号CN121355102A，申请日期为2025年12月。专利摘要显示，本发明属于超级电容器技术领域，本发明涉及一种高频滤波用焦耳热碳化电极及制备方法和应用，本发明针对碳基HF‑SC制备工艺复杂、耗时耗能、电极材料的储能位点少、等效串联电阻过大等导致的低储能密度和低充放电速率的问题，通过焦耳热闪蒸方法在超短时间内快速合成具有超低分布电阻和高储能密度的HF‑SC电极。由于焦耳热闪蒸方法具有超快速的降温速率，所形成的电极材料尺度更小，具有更大的活性面积。所采用的原材料价格低廉、储量丰富，为泡沫的高附加值利用提供了途径。因此通过焦耳热闪蒸方法制备的具有高频率响应、高比电容

国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“光电子器件和具有光电子器件的照明设备”的专利，公开号CN121080149A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，提供一种光电子器件，其具有第一像素元件、第二像素元件以及用于第一和第二像素元件的共同的成像光学装置，其中第一像素元件相对于成像光学装置具有第一像距，并且其中第二像素元件相对于成像光学装置具有与第一像距不同的第二像距。此外，提供一种具有光电子器件的照明设备。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

2025-2031年中国光电子器件市场发展状况及研发前景分析报告∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷∷【出版机构 ：智信中科研究网】【免费服务一年，定制市场报告或课题调研，欢迎来电咨询客服】第1章：光电子器件行业界定及数据统计标准说明1.1 光电子器件的界定与分类1.1.1 光电子器件的定义1.1.2 光电子器件的分类1.2 光电子器件行业归属国民经济行业分类1.3 光电子器件行业专业术语介绍1.4 本报告光电子器件行业的研究范围界定说明1.5 本报告数据来源及统计标准说明第2章：中国光电子器件行业PEST（宏观环境）分析2.1 中国光电子器件行业政治（Politics）环境2.1.1 光电子器件行业监管体系及机构介绍（1）光电子器件行业主管部门（2）光电子器件行业自律组织2.1

国家知识产权局信息显示，堡盟德国有限公司取得一项名为“用于容纳电气和/或电子器件的壳体”的专利，授权公告号CN116170973B，申请日期为2022年10月。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。